SFT1431
11
10
ID -- VDS
3.5
V
20
18
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
9
8
7
6
16
14
12
10
5
4
3
2
1
VGS=3.0V
Tc=25 ° C
8
6
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Single pulse
0.8 0.9 1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
,I =
=4.0 D
=3.0
=4.5
=5.5A
=10.0
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
RDS(on) -- VGS
ID=5.5A Single pulse
3A
IT15239
Tc=25 ° C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
RDS(on) -- Tc
3.0A
VGS A
V, I D
VGS
V, I D
VGS
IT15240
Single pulse
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--25
75 °
2
10
7
5
3
2
| y fs | -- ID
25 ° C
° C
Tc=
C
IT15241
VDS=10V
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15242
1.0
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15243
VDD=15V
VGS=10V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15244
f=1MHz
100
1000
Ciss
7
5
3
td(off)
tf
7
5
3
2
10
td(on)
tr
2
100
C o ss
Crss
7
5
7
5
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
3
0
5
10
15
20
25
30
35
Drain Current, ID -- A
IT15245
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15246
No. A1624-3/9
相关PDF资料
SFT1431-TL-E MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
SFT1440-TL-E MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
SFT1443-H MOSFET N-CH 100V 9A TP
SFT1445-H MOSFET N-CH 100V 17A TP
SFT1450-H MOSFET N-CH 40V 21A TP
SG923-0012-3.3-C RF EVAL WI-FI MODULE
SGF23N60UFTU IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF
SGF5N150UFTU IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF
相关代理商/技术参数
SFT1431-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1440 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1440-E 功能描述:MOSFET ZENSOT23TVSARRAY36V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1440-TL-E 功能描述:MOSFET WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1443 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1443-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1443-TL-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1445 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications